История создания транзистора

В 1947 году двумя американскими ученых Дж. Бардином и У. Браттейном проводились исследования кристаллического детектора, усилительные свойства которого были открыты еще в 1922 г. сотрудником Нижегородской радиолаборатории О. В. Лосевым.

Учеными было обнаружено, что с использованием тока, проходящего через точечный контакт, можно управлять током, проходящим через другой контакт. В декабре 1947 г. был открыт транзисторный эффект. Впервые информация об этом открытии была опубликована в мае 1948 г.

К тому времени потребности в развитии электроники были как никогда велики. Потенциальные возможности, особенно с появлением первых ЭВМ, казались буквально безграничными. Однако на этом пути стояли значительные препятствия. Одной из важнейших проблем было отсутствие высокой надежности электронных ламп, собственно говоря, именно тех электронных ламп, которые и помогли встать электронике на дорогу прогресса.

Еще одной проблемой являлись энергопотребление, размер и вес. Эти проблемы особенно значимо касались многоламповых аппаратуре. Достаточно сказать, что типичные ЭВМ в 1940-ых годах, насчитывали десятков тысяч ламп, занимали площади в сотни квадратных метров, весили десятки тонн и потребляли сотни кВт электроэнергии, в то время как надежность их работы была далеко не высока. Время работы определялось всего тремя-четырьмя часами.

Очевидно, что в этот период активно велись поиски компактного, энергоэффективного и высоконадежного активного элемента, который пришел бы на замену электронной лампе. Не велись, пожалуй, целенаправленные поиски только в сфере полупроводников. А, к удивлению, именно там и наткнулись на искомый эффект.

Первые «точечные» транзисторы были приняты весьма холодно разработчиками аппаратуры, однако вскоре их сменили плоскостные транзисторы, по большей степени свободные от изъянов своих «старших братьев». За короткое время удалось перейти с германия, не позволяющего применять транзисторную технику в условиях повышенных температур, на более устойчивый к температурам кремний.

С появлением планарной технологии повысились характеристики транзисторов, а также осуществился переход к групповым методам проведения прецизионных технологических процессов. Однако наиболее важным последствием появления планарной технологии оказалась идея изготовления на одном кристалле не одного транзистора, а нескольких, и помимо этого диодов и других схемотехнических элементов, объединенных в интегральную микросхему (ИМС).

Появление транзистора обеспечило активное развитие интегральной электроники (или микроэлектроники), ставшей основой для развития вычислительной техники и многих других направлений электроники, в том числе и в сфере радиосвязи.

К примеру, применение транзисторов позволяет улучшить реальные показатели радиопередатчиков, повысить надежность, уменьшить размеры и массу, обеспечить практически мгновенную готовность передатчика к работе, повысить безопасность персонала.

Добавить комментарий